产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号:
PEMH15,115
仓库库存编号:
1727-2172-1-ND
别名:1727-2172-1
568-11870-1
568-11870-1-ND
568-12334-1-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4901,LF(CT
仓库库存编号:
RN4901LF(CTCT-ND
别名:RN4901LF(CTCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMD15,115
仓库库存编号:
1727-1736-2-ND
别名:1727-1736-2
568-11279-2
568-11279-2-ND
934057891115
PUMD15 T/R
PUMD15 T/R-ND
PUMD15,115-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN2601(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2601(TE85LF)CT-ND
别名:RN2601(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4981,LF(CT
仓库库存编号:
RN4981LF(CTCT-ND
别名:RN4981(T5LFT)CT
RN4981(T5LFT)CT-ND
RN4981LF(CTCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1902FE,LF(CT
仓库库存编号:
RN1902FELF(CTCT-ND
别名:RN1902FE(T5LFT)CT
RN1902FE(T5LFT)CT-ND
RN1902FELF(CTCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4981FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4981FELF(CBCT-ND
别名:RN4981FE(TE85LF)CT
RN4981FE(TE85LF)CT-ND
RN4981FELF(CBCT
RN4981FELF(CTCT
RN4981FELF(CTCT-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号:
RN1501(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1501(TE85LF)CT-ND
别名:RN1501(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号:
FMA7AT148
仓库库存编号:
FMA7AT148CT-ND
别名:FMA7AT148CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMD15,115
仓库库存编号:
1727-1736-1-ND
别名:1727-1736-1
568-11279-1
568-11279-1-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMD15,115
仓库库存编号:
1727-1736-6-ND
别名:1727-1736-6
568-11279-6
568-11279-6-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMH15,115
仓库库存编号:
1727-1981-1-ND
别名:1727-1981-1
568-12014-1
568-12014-1-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2901FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2901FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2901FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN2701JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2701JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2701JE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN1601(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1601(TE85LF)CT-ND
别名:RN1601(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2961(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2961(TE85LF)CT-ND
别名:RN2961(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN4601(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN4601(TE85LF)CT-ND
别名:RN4601(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1961(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1961(TE85LF)CT-ND
别名:RN1961(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMD15,135
仓库库存编号:
PUMD15,135-ND
别名:934057891135
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1901,LF(CT
仓库库存编号:
RN1901LF(CTCT-ND
别名:RN1901(T5LFT)CT
RN1901(T5LFT)CT-ND
RN1901LF(CTCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMB15,115
仓库库存编号:
PUMB15,115-ND
别名:934057884115
PUMB15 T/R
PUMB15 T/R-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
型号:
UMA7NTR
仓库库存编号:
UMA7NTR-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号:
PEMB15,115
仓库库存编号:
PEMB15,115-ND
别名:934058911115
PEMB15 T/R
PEMB15 T/R-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号:
PEMD15,115
仓库库存编号:
PEMD15,115-ND
别名:934058919115
PEMD15 T/R
PEMD15 T/R-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1901FETE85LF
仓库库存编号:
RN1901FETE85LFCT-ND
别名:RN1901FETE85LFCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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