产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 95V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2023J-DESC
仓库库存编号:
1259-1083-ND
别名:1259-1083
1259-1083-MIL
5962-8987601EA
SG2023JDESC
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 95V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2823J
仓库库存编号:
SG2823J-ND
别名:1259-1086
1259-1086-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 95V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2823J-883B
仓库库存编号:
1259-1087-ND
别名:1259-1087
1259-1087-MIL
SG2823J883B
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 95V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2823J-DESC
仓库库存编号:
1259-1088-ND
别名:1259-1088
1259-1088-MIL
5962-8968501VA
SG2823JDESC
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 95V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2023J-883B
仓库库存编号:
1259-1109-ND
别名:1259-1109
1259-1109-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 95V,
含铅
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