产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 160V,150V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 160V, 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
MMDT5451-7-F
仓库库存编号:
MMDT5451-FDICT-ND
别名:MMDT5451-FDICT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 160V,150V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 160V, 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
MMDT5451-7
仓库库存编号:
MMDT5451DICT-ND
别名:MMDT5451
MMDT54517
MMDT5451CT
MMDT5451CT-ND
MMDT5451DICT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 160V,150V,
含铅
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