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• Texas Instruments
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 18-SOIC
  
  型号：ULN2803ADWR
  仓库库存编号：296-15777-1-ND
  别名：296-15777-1
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• Texas Instruments
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 18-SOIC
  
  型号：ULN2803ADWRG4
  仓库库存编号：296-35964-1-ND
  别名：296-35964-1
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 620mW Surface Mount 16-SOP
  
  型号：BA12004BF-E2
  仓库库存编号：BA12004BF-E2CT-ND
  别名：BA12004BF-E2CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• STMicroelectronics
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1W Through Hole 18-DIP
  
  型号：ULQ2804A
  仓库库存编号：497-7692-5-ND
  别名：497-7692-5
  ULQ2804A-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• STMicroelectronics
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
  
  型号：ULQ2803A
  仓库库存编号：497-2362-5-ND
  别名：497-2362-5
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
  
  型号：ULN2803AFWG,C,EL
  仓库库存编号：ULN2803AFWGCELCT-ND
  别名：ULN2803AFWG(5ELMCT
  ULN2803AFWG(5ELMCT-ND
  ULN2803AFWG(CELHACT
  ULN2803AFWG(CELHACT-ND
  ULN2803AFWG(OELMCT
  ULN2803AFWG(OELMCT-ND
  ULN2803AFWG5ELMCT
  ULN2803AFWG5ELMCT-ND
  ULN2803AFWGCELCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• STMicroelectronics
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1W Through Hole 18-DIP
  
  型号：ULQ2802A
  仓库库存编号：497-6789-5-ND
  别名：497-6789-5
  ULQ2802A-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP
  
  型号：ULN2803APG,CN
  仓库库存编号：ULN2803APGCN-ND
  别名：ULN2803APG
  ULN2803APG(5,M)
  ULN2803APG(CNHZN)
  ULN2803APG(CNHZN)-ND
  ULN2803APG(O,M)
  ULN2803APG(O,N,HZA
  ULN2803APG(O,N,HZN
  ULN2803APG(OM)
  ULN2803APG(OM)-ND
  ULN2803APG(ONHZA
  ULN2803APG(ONHZA-ND
  ULN2803APG(ONHZN
  ULN2803APG(ONHZN-ND
  ULN2803APG-ND
  ULN2803APGCN
  ULN2803APGONHZN
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• Texas Instruments
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-PDIP
  
  型号：ULN2803AN
  仓库库存编号：296-19046-5-ND
  别名：296-19046-5
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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• Texas Instruments
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-PDIP
  
  型号：ULN2803ANG4
  仓库库存编号：296-36074-5-ND
  别名：296-36074-5
  ULN2803ANE4
  ULN2803ANE4-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）,
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