产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
详细描述:RF Transistor NPN 18V 150mA 4GHz 1W Surface Mount SOT-223
型号:
BFG35,115
仓库库存编号:
568-6187-1-ND
别名:568-6187-1
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 18V 150MA SOT89
详细描述:RF Transistor NPN 18V 150mA 4GHz 1W Surface Mount SOT-89-3
型号:
BFQ18A,115
仓库库存编号:
568-6198-1-ND
别名:568-6198-1
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
TRANS RF NPN 18V 15A 211-07
详细描述:RF Transistor NPN 18V 15A 60W Chassis Mount 211-07, STYLE 1
型号:
MRF455
仓库库存编号:
1465-1191-ND
别名:1465-1191
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
无铅
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Microsemi Corporation
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
详细描述:RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
MRF5812R2
仓库库存编号:
MRF5812R2-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
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STMicroelectronics
TRANS NPN RF MCRWAVE HF SSB M174
详细描述:RF Transistor NPN 18V 20A 270W Surface Mount M174
型号:
SD1405
仓库库存编号:
497-5457-ND
别名:497-5457
SD1405-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANSISTOR NPN RF BIPO UHF M113
详细描述:RF Transistor NPN 18V 12A 183W Surface Mount M113
型号:
SD1446
仓库库存编号:
497-5458-ND
别名:497-5458
SD1446-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANSISTOR NPN RF BIPO VHF 6LEAD
详细描述:RF Transistor NPN 18V 20A 270W Surface Mount M111
型号:
SD1477
仓库库存编号:
497-6723-ND
别名:497-6723
SD1477-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
详细描述:RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic (84C)
型号:
MRF581
仓库库存编号:
MRF581-ND
别名:MRF581MI
MRF581MI-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
详细描述:RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic (84C)
型号:
MRF581G
仓库库存编号:
MRF581G-ND
别名:MRF581GMI
MRF581GMI-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 18V,
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