产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 2.6V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
TRANSISTOR NPN TSLP-3
详细描述:RF Transistor NPN 2.6V 55mA 125mW Surface Mount TSLP-3-10
型号:
BFR843EL3E6327XTSA1
仓库库存编号:
BFR843EL3E6327XTSA1CT-ND
别名:BFR843EL3E6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 2.6V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3
详细描述:RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount TSLP-3-9
型号:
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
仓库库存编号:
BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT-ND
别名:BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 2.6V,
无铅
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Infineon Technologies
IC TRANSISTOR RF NPN TSFP-4
详细描述:RF Transistor NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW Surface Mount 4-TSFP
型号:
BFP840FESDH6327XTSA1
仓库库存编号:
BFP840FESDH6327XTSA1CT-ND
别名:BFP 840FESD H6327CT
BFP 840FESD H6327CT-ND
BFP840FESDH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 2.6V,
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