产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
型号:
DRA2523Y0L
仓库库存编号:
DRA2523Y0LCT-ND
别名:DRA2523Y0LCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
型号:
UNR222300L
仓库库存编号:
UNR222300LCT-ND
别名:UNR222300LCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
型号:
DRC2523Y0L
仓库库存编号:
DRC2523Y0LCT-ND
别名:DRC2523Y0LCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
无铅
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TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
型号:
DRC2514E0L
仓库库存编号:
DRC2514E0LCT-ND
别名:DRC2514E0LCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
型号:
DRA2514E0L
仓库库存编号:
DRA2514E0LCT-ND
别名:DRA2514E0LCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
型号:
UNR222400L
仓库库存编号:
UNR222400LCT-ND
别名:UNR222400LCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
型号:
UNR412400A
仓库库存编号:
UNR412400ACT-ND
别名:UNR412400ACT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
型号:
UNR422300A
仓库库存编号:
UNR422300ACT-ND
别名:UNR422300ACT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 100mA,10V,
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TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
型号:
UNR422400A
仓库库存编号:
UNR422400ACT-ND
别名:UNR422400ACT
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TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
型号:
UNR412300A
仓库库存编号:
UNR412300ACT-ND
别名:UNR412300ACT
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