产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V,
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  • Diodes Incorporated - DDTD113ZC-7-F - TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Diodes Incorporated
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3

    型号:DDTD113ZC-7-F
    仓库库存编号:DDTD113ZC-7FDICT-ND
    别名:DDTD113ZC-7-FDICT
    DDTD113ZC-7-FDICT-ND
    DDTD113ZC-7FDICT

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V,
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  • Diodes Incorporated - DRDNB16W-7 - TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
  • Diodes Incorporated
    TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363

    型号:DRDNB16W-7
    仓库库存编号:DRDNB16WDICT-ND
    别名:DRDNB16WDICT

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V,
  • 无铅
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  • Diodes Incorporated - DRDPB16W-7 - TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
  • Diodes Incorporated
    TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363

    型号:DRDPB16W-7
    仓库库存编号:DRDPB16WDICT-ND
    别名:DRDPB16WDICT

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V,
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