产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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Micro Commercial Co (2)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 160V 0.8A 6-SSOT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 800mA 120MHz 630mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FMBS2383
仓库库存编号:
FMBS2383CT-ND
别名:FMBS2383CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
无铅
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Micro Commercial Co
TRANS PREBIAS PNP 120V SOT89
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120MHz Surface Mount SOT-89
型号:
2SA1201-Y-TP
仓库库存编号:
2SA1201-Y-TP-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
无铅
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Micro Commercial Co
TRANS PREBIAS NPN 120V SOT89
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120MHz Surface Mount SOT-89
型号:
2SC2881-O-TP
仓库库存编号:
2SC2881-O-TP-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 120V 0.8A TO-92L
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92-3
型号:
KSA916OBU
仓库库存编号:
KSA916OBU-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 120V 0.8A TO-92L
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92-3
型号:
KSC2316OTA
仓库库存编号:
KSC2316OTA-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 120V 0.8A TO-92L
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92-3
型号:
KSC2316OBU
仓库库存编号:
KSC2316OBU-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 120V 0.8A SOT-89
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
型号:
KSC2881OTF
仓库库存编号:
KSC2881OTF-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 120V 0.8A SOT-89
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
型号:
KSA1201OTF
仓库库存编号:
KSA1201OTF-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V SC71
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 1W Through Hole MSTM
型号:
2SA1425-Y,T2F(J
仓库库存编号:
2SA1425-YT2F(J-ND
别名:2SA1425-YT2F(J
2SA1425YT2FJ
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-O(TE6,F,M)
仓库库存编号:
2SA965-O(TE6FM)-ND
别名:2SA965-O(TE6FM)
2SA965OTE6FM
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-O,F(J
仓库库存编号:
2SA965-OF(J-ND
别名:2SA965-OF(J
2SA965OFJ
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y(F,M)
仓库库存编号:
2SA965-Y(FM)-ND
别名:2SA965-Y(FM)
2SA965YFM
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y(T6CANO,FM
仓库库存编号:
2SA965-Y(T6CANOFM-ND
别名:2SA965-Y(T6CANOFM
2SA965YT6CANOFM
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,F(J
仓库库存编号:
2SA965-YF(J-ND
别名:2SA965-YF(J
2SA965YFJ
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,SWFF(M
仓库库存编号:
2SA965-YSWFF(M-ND
别名:2SA965-YSWFF(M
2SA965YSWFFM
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,T6F(J
仓库库存编号:
2SA965-YT6F(J-ND
别名:2SA965-YT6F(J
2SA965YT6FJ
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,T6KOJPF(J
仓库库存编号:
2SA965-YT6KOJPF(J-ND
别名:2SA965-YT6KOJPF(J
2SA965YT6KOJPFJ
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235(T6KMAT,F,M
仓库库存编号:
2SC2235(T6KMATFM-ND
别名:2SC2235(T6KMATFM
2SC2235T6KMATFM
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235-O(FA1,F,M)
仓库库存编号:
2SC2235-O(FA1FM)-ND
别名:2SC2235-O(FA1FM)
2SC2235OFA1FM
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235-O(T6ASN,FM
仓库库存编号:
2SC2235-O(T6ASNFM-ND
别名:2SC2235-O(T6ASNFM
2SC2235OT6ASNFM
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235-O(T6FJT,AF
仓库库存编号:
2SC2235-O(T6FJTAF-ND
别名:2SC2235-O(T6FJTAF
2SC2235OT6FJTAF
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235-O(T6FJT,FM
仓库库存编号:
2SC2235-O(T6FJTFM-ND
别名:2SC2235-O(T6FJTFM
2SC2235OT6FJTFM
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235-O,F(J
仓库库存编号:
2SC2235-OF(J-ND
别名:2SC2235-OF(J
2SC2235OFJ
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235-Y(6MBH1,AF
仓库库存编号:
2SC2235-Y(6MBH1AF-ND
别名:2SC2235-Y(6MBH1AF
2SC2235Y6MBH1AF
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC2235-Y(DNSO,AF)
仓库库存编号:
2SC2235-Y(DNSOAF)-ND
别名:2SC2235-Y(DNSOAF)
2SC2235YDNSOAF
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V,
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