以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 1W Surface Mount PW-MOLD
  
  型号：2SB906-Y(TE16L1,NQ
  仓库库存编号：2SB906-Y(TE16L1NQCT-ND
  别名：2SB906-Y(Q)
  2SB906-Y(Q)-ND
  2SB906-Y(TE16L1,NQ)
  2SB906-Y(TE16L1,NQCT
  2SB906-Y(TE16L1NQ)
  2SB906-Y(TE16L1NQ)-ND
  2SB906-Y(TE16L1NQ-ND
  2SB906Y(TE16L1NQ
  2SB906Y(TE16L1NQ-ND
  2SB906YTE16L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.7V @ 300mA，3A,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 4A TO-220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 9MHz 25W Through Hole TO-220F
  
  型号：KSB1017YTU
  仓库库存编号：KSB1017YTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.7V @ 300mA，3A,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 4A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 3MHz 30W Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSB596YTU
  仓库库存编号：KSB596YTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.7V @ 300mA，3A,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 4A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 3MHz 30W Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSB596Y
  仓库库存编号：KSB596Y-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.7V @ 300mA，3A,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 60V 3A I-PAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 1W Through Hole I-Pak
  
  型号：KSB906YTU
  仓库库存编号：KSB906YTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.7V @ 300mA，3A,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 4A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 3MHz 30W Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSB596OTU
  仓库库存编号：KSB596OTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.7V @ 300mA，3A,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 4A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 3MHz 30W Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSB596O
  仓库库存编号：KSB596O-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.7V @ 300mA，3A,
• 
  
  无铅
• 搜索