产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
漏源电压(Vdss)
功率 - 最大值
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(1)
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Diodes Incorporated(3)
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剪切带(CT) (3)
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在售(3)
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8-SOP(1)
SM8(2)
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3.2nC @ 10V(3)
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300 毫欧 @ 1.8A,10V(2)
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2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)(2)
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1.4A(1)
1.6A,1.3A(1)
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3V @ 250μA(3)
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60V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.6A, 1.3A 1.3W Surface Mount SM8
型号:
ZXMHC6A07T8TA
仓库库存编号:
ZXMHC6A07T8CT-ND
别名:ZXMHC6A07T8CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号:
ZXMHC6A07N8TC
仓库库存编号:
ZXMHC6A07N8DICT-ND
别名:ZXMHC6A07N8DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
型号:
ZXMHN6A07T8TA
仓库库存编号:
ZXMHN6A07T8CT-ND
别名:ZXMHN6A07T8TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
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