产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
漏源电压(Vdss)
功率 - 最大值
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(1)
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8-SO(1)
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5.4nC @ 4.5V(5)
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27 毫欧 @ 5A,4.5V(1)
19 毫欧 @ 5A,10V(1)
135 毫欧 @ 2.2A,4.5V(3)
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2 个 N 沟道(双)(2)
2 个 P 沟道(双)(3)
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5A(1)
2.2A(3)
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469pF @ 10V(1)
724pF @ 25V(1)
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逻辑电平栅极,5V 驱动(1)
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1V @ 250μA(1)
1.2V @ 250μA(4)
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20V(4)
30V(1)
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2.3W(1)
2.7W(1)
960mW(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
型号:
CSD85301Q2T
仓库库存编号:
296-38668-1-ND
别名:296-38668-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.7W Surface Mount 8-SO
型号:
STS8DN3LLH5
仓库库存编号:
497-10391-1-ND
别名:497-10391-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5850
仓库库存编号:
IRF5850-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5850TR
仓库库存编号:
IRF5850TR-ND
别名:SP001564468
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5850TRPBF
仓库库存编号:
IRF5850TRPBFCT-ND
别名:IRF5850TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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