产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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供应商器件封装
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
漏源电压(Vdss)
功率 - 最大值
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6(1)
6-WDFN 裸露焊盘(1)
9-UFBGA,WLBGA(1)
6-PowerVDFN(1)
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Diodes Incorporated(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Infineon Technologies(1)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(3)
150°C(TJ)(1)
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-(2)
PowerTrench?(1)
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剪切带(CT) (4)
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SuperSOT?-6(1)
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6-μDFN(2x2)(1)
6-PQFN(2x2)(1)
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5nC @ 4.5V(1)
4nC @ 4.5V(1)
4.2nC @ 4.5V(1)
3.1nC @ 4.5V(1)
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80 毫欧 @ 2.7A,4.5V(1)
46 毫欧 @ 2A,4.5V(1)
100 毫欧 @ 1A,4.5V(1)
45 毫欧 @ 3.4A,4.5V(1)
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2 个 N 沟道(双)(3)
2 P 沟道(双)共源(1)
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2.7A(1)
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310pF @ 10V(4)
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标准(1)
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900mV @ 250μA(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6305N
仓库库存编号:
FDC6305NCT-ND
别名:FDC6305NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-μDFN(2x2)
型号:
SSM6N57NU,LF
仓库库存编号:
SSM6N57NULFCT-ND
别名:SSM6N57NU,LFCT-ND
SSM6N57NULF(TCT
SSM6N57NULF(TCT-ND
SSM6N57NULFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source 20V 3A 800mW Surface Mount U-WLB1515-9
型号:
DMP2100UCB9-7
仓库库存编号:
DMP2100UCB9-7DICT-ND
别名:DMP2100UCB9-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
型号:
IRLHS6276TR2PBF
仓库库存编号:
IRLHS6276TR2PBFCT-ND
别名:IRLHS6276TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 10V,
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