产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动,
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
漏源电压(Vdss)
功率 - 最大值
8-PowerVDFN(1)
6-WDFN 裸露焊盘(2)
8-PowerTDFN(2)
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Texas Instruments(5)
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表面贴装(5)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(3)
125°C(TJ)(2)
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NexFET??(5)
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剪切带(CT) (5)
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在售(5)
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6-WSON(2x2)(2)
8-VSON(3.3x3.3)(3)
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5.4nC @ 4.5V(1)
6nC @ 10V(1)
4.6nC @ 4.5V(2)
15.2nC @ 4.5V(1)
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32.4 毫欧 @ 4A,10V(1)
27 毫欧 @ 5A,4.5V(1)
12.4 毫欧 @ 10A,8V(1)
14.3 毫欧 @ 4A,8V(2)
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2 个 N 沟道(双)(2)
2 N 沟道(双)共源(1)
2 N 沟道(双)非对称型(2)
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5A(2)
15A(2)
39A(1)
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353pF @ 15V(1)
469pF @ 10V(1)
2390pF @ 10V(1)
662pF @ 15V(2)
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逻辑电平栅极,5V 驱动(5)
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2V @ 250μA(1)
1.2V @ 250μA(3)
1.4V @ 250μA(1)
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20V(2)
30V(3)
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2.5W(1)
2.3W(2)
6W(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
型号:
CSD87502Q2T
仓库库存编号:
296-43692-1-ND
别名:296-43692-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
型号:
CSD85301Q2T
仓库库存编号:
296-38668-1-ND
别名:296-38668-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD85312Q3E
仓库库存编号:
296-37187-1-ND
别名:296-37187-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3D
仓库库存编号:
296-37535-1-ND
别名:296-37535-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3DT
仓库库存编号:
296-37794-1-ND
别名:296-37794-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动,
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