产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：功率 - 最大值 20W,
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
漏源电压（Vdss）
功率 - 最大值
8-PowerWDFN(3)
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Taiwan Semiconductor Corporation(3)
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表面贴装(3)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(3)
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-(3)
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剪切带（CT） (1)
带卷（TR） (1)
-Reel? (1)
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在售(3)
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8-PDFN（3x3）(3)
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4nC @ 4.5V(3)
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20 毫欧 @ 10A，10V(3)
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2 个 N 沟道（双）(3)
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20A（Tc）(3)
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345pF @ 25V(3)
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标准(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号：
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：功率 - 最大值 20W,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号：
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM200N03DPQ33 RGGCT-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：功率 - 最大值 20W,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号：
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM200N03DPQ33 RGGDKR-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：功率 - 最大值 20W,
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