产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:功率 - 最大值 20W,
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
漏源电压(Vdss)
功率 - 最大值
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Taiwan Semiconductor Corporation(3)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(3)
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-(3)
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剪切带(CT) (1)
带卷(TR) (1)
-Reel? (1)
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在售(3)
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8-PDFN(3x3)(3)
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20 毫欧 @ 10A,10V(3)
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2 个 N 沟道(双)(3)
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20A(Tc)(3)
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345pF @ 25V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号:
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND
别名:TSM200N03DPQ33 RGGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:功率 - 最大值 20W,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号:
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM200N03DPQ33 RGGCT-ND
别名:TSM200N03DPQ33 RGGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:功率 - 最大值 20W,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
型号:
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM200N03DPQ33 RGGDKR-ND
别名:TSM200N03DPQ33 RGGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:功率 - 最大值 20W,
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