产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3),
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
漏源电压(Vdss)
功率 - 最大值
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8-PowerTDFN(4)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(3)
125°C(TJ)(2)
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剪切带(CT) (5)
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在售(5)
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8-VSON(3.3x3.3)(5)
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8.3nC @ 4.5V(1)
4.6nC @ 4.5V(2)
8.2nC @ 4.5V(1)
15.2nC @ 4.5V(1)
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12.4 毫欧 @ 10A,8V(1)
33 毫欧 @ 7A,8V(1)
6 毫欧 @ 12A,8V(1)
14.3 毫欧 @ 4A,8V(2)
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2 N 沟道(双)共源(2)
2 N 沟道(双)非对称型(3)
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-(1)
15A(2)
27A(1)
39A(1)
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1250pF @ 15V(1)
1260pF @ 15V(1)
2390pF @ 10V(1)
662pF @ 15V(2)
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标准(1)
逻辑电平门(1)
逻辑电平栅极,5V 驱动(3)
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1.2V @ 250μA(3)
1.4V @ 250μA(1)
1.3V @ 250μA(1)
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20V(1)
30V(4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD85312Q3E
仓库库存编号:
296-37187-1-ND
别名:296-37187-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87312Q3E
仓库库存编号:
296-35526-1-ND
别名:296-35526-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87334Q3DT
仓库库存编号:
296-42468-1-ND
别名:296-42468-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3D
仓库库存编号:
296-37535-1-ND
别名:296-37535-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3DT
仓库库存编号:
296-37794-1-ND
别名:296-37794-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,规格:供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3),
含铅
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邮箱:
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Q Q:
800152669
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