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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 3.5A（Ta） 2W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J351R,LF
  仓库库存编号：SSM3J351RLFCT-ND
  别名：SSM3J351RLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J356R,LF
  仓库库存编号：SSM3J356RLFCT-ND
  别名：SSM3J356RLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 27W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
  仓库库存编号：TJ8S06M3L(T6L1NQ)-ND
  别名：TJ8S06M3L(T6L1NQ)
  TJ8S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 27W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ10S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ10S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ10S04M3L(T6L1NQ
  TJ10S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ15S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ15S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ15S06M3L(T6L1NQ
  TJ15S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ20S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ20S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ20S04M3L(T6L1NQ
  TJ20S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 40A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ40S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ40S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ40S04M3L(T6L1NQ
  TJ40S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ30S06M3L(T6L1NQ
  TJ30S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ50S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ50S06M3L(T6L1NQ
  TJ50S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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  MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S04M3L(T6L1NQ
  TJ60S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S06M3L(T6L1NQ
  TJ60S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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  MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ80S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ80S04M3L(T6L1NQ
  TJ80S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT1072H-EL-E
  仓库库存编号：HAT1072H-EL-E-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 800mW（Ta） 3-MPAK
  
  型号：RQJ0303PGDQA#H6
  仓库库存编号：RQJ0303PGDQA#H6-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +10V，-20V,
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