产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-PowerVDFN(1)
SC-100，SOT-669(2)
8-PowerTDFN(16)
PowerPAK? SO-8(3)
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Vishay Siliconix(3)
Texas Instruments(17)
Renesas Electronics America(2)
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表面贴装(22)
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-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(20)
150°C（TJ）(1)
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-(2)
TrenchFET?(1)
NexFET??(17)
TrenchFET? Gen IV(2)
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剪切带（CT） (16)
带卷（TR） (4)
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在售(22)
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8-VSON（3.3x3.3）(1)
8-VSON（5x6）(9)
PowerPAK? SO-8(3)
8-VSON-CLIP（5x6）(7)
LFPAK(1)
5-LFPAK(1)
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MOSFET（金属氧化物）(22)
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+16V，-12V(22)
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200nC @ 10V(1)
8.5nC @ 4.5V(1)
5nC @ 4.5V(1)
18nC @ 4.5V(3)
3.8nC @ 4.5V(2)
44nC @ 10V(1)
8.1nC @ 4.5V(1)
21nC @ 4.5V(1)
32nC @ 4.5V(1)
8nC @ 4.5V(1)
29nC @ 4.5V(4)
11.7nC @ 4.5V(1)
83nC @ 10V(1)
8.9nC @ 4.5V(2)
5.6nC @ 4.5V(1)
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10 毫欧 @ 10A，10V(1)
5.3 毫欧 @ 20A，10V(1)
11 毫欧 @ 10A，10V(1)
1.2 毫欧 @ 15A，10V(1)
2.4 毫欧 @ 25A，10V(2)
2.8 毫欧 @ 30A，10V(1)
3.9 毫欧 @ 24A，10V(1)
2.8 毫欧 @ 20A，10V(1)
8.2 毫欧 @ 17A，10V(1)
5.1 毫欧 @ 20A，10V(1)
8.5 毫欧 @ 17A，10V(1)
2.65 毫欧 @ 15A，10V(1)
0.58 毫欧 @ 20A, 10V(1)
4.5 毫欧 @ 25A，10V(2)
8 毫欧 @ 15A，10V(1)
1.6 毫欧 @ 40A，10V(2)
1.15 毫欧 @ 40A，10V(2)
1.9 毫欧 @ 30A，10V(1)
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4.5V，10V(22)
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N 沟道(22)
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60A（Tc）(2)
14A（Ta），56A（Tc）(1)
100A（Tc）(1)
19A（Ta），60A（Tc）(1)
30A（Ta）(1)
100A（Ta）(2)
31A（Ta），100A（Tc）(2)
60A（Ta）(1)
15A（Ta），60A（Tc）(1)
24A（Ta），100A（Tc）(1)
28A（Ta），100A（Tc）(1)
38A（Ta），100A（Tc）(1)
34A（Ta），100A（Tc）(1)
16A（Ta），59A（Tc）(1)
81.7A（Ta）, 100A（Tc）(1)
14A（Ta），52A（Tc）(1)
21A（Ta），81A（Tc）(1)
22A（Ta），113A（Tc）(2)
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570pF @ 12.5V(1)
1250pF @ 10V(1)
1300pF @ 12.5V(2)
1100pF @ 12.5V(1)
1780pF @ 12.5V(1)
2660pF @ 12.5V(3)
800pF @ 12.5V(1)
740pF @ 12.5V(1)
5000pF @ 10V(1)
10850pF @ 10V(1)
530pF @ 12.5V(1)
1220pF @ 12.5V(1)
4100pF @ 12.5V(4)
3650pF @ 12.5V(1)
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-(22)
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-(2)
2V @ 250μA(1)
2.5V @ 250μA(1)
2.1V @ 250μA(4)
2.2V @ 250μA(2)
2.3V @ 250μA(4)
1.9V @ 250μA(8)
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-(1)
3.1W（Ta）(8)
3W（Ta）(3)
2.7W（Ta）(2)
65W（Tc）(1)
6.25W（Ta），104W（Tc）(1)
2.6W（Ta）(1)
3.2W（Ta）(3)
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25V(20)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD16411Q3
仓库库存编号：
296-24255-1-ND
别名：296-24255-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16406Q3
仓库库存编号：
296-24251-1-ND
别名：296-24251-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16413Q5A
仓库库存编号：
296-24524-1-ND
别名：296-24524-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16403Q5A
仓库库存编号：
296-24249-1-ND
别名：296-24249-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16409Q3
仓库库存编号：
296-24253-1-ND
别名：296-24253-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Ta），59A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16410Q5A
仓库库存编号：
296-24254-1-ND
别名：296-24254-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 81.7A（Ta）, 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA20DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA20DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA20DP-T1-RE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），52A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16412Q5A
仓库库存编号：
296-24256-1-ND
别名：296-24256-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），81A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16404Q5A
仓库库存编号：
296-24250-1-ND
别名：296-24250-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16408Q5C
仓库库存编号：
296-25647-1-ND
别名：296-25647-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16408Q5
仓库库存编号：
296-25321-1-ND
别名：296-25321-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16407Q5
仓库库存编号：
296-24252-1-ND
别名：296-24252-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16407Q5C
仓库库存编号：
296-25664-1-ND
别名：296-25664-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5
仓库库存编号：
296-24525-1-ND
别名：296-24525-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5
仓库库存编号：
296-30139-1-ND
别名：296-30139-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16414Q5
仓库库存编号：
296-24257-1-ND
别名：296-24257-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA26DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA26DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA26DP-T1-RE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA32DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA32DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA32DP-T1-RE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） LFPAK
型号：
RJK0305DPB-02#J0
仓库库存编号：
RJK0305DPB-02#J0TR-ND
别名：RJK0305DPB-02#J0-ND
RJK0305DPB-02#J0TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） 5-LFPAK
型号：
RJK0301DPB-02#J0
仓库库存编号：
RJK0301DPB-02#J0-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5T
仓库库存编号：
CSD16401Q5T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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