产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR164DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR164DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR164DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 204W(Tc) D2PAK
型号:
BUK6607-75C,118
仓库库存编号:
1727-5514-1-ND
别名:1727-5514-1
568-6993-1
568-6993-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA15N50L2
仓库库存编号:
IXTA15N50L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 214W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP250NPBF
仓库库存编号:
IRFP250NPBF-ND
别名:*IRFP250NPBF
SP001554946
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP15N50L2
仓库库存编号:
IXTP15N50L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH15N50L2
仓库库存编号:
IXTH15N50L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 51A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50M75JLLU3
仓库库存编号:
APT50M75JLLU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 214W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP250MPBF
仓库库存编号:
IRFP250MPBF-ND
别名:SP001566168
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.8A(Ta) 2.5W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMT31M6LPS-13
仓库库存编号:
DMT31M6LPS-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR164DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR164DP-T1-RE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 51A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50M75JLLU2
仓库库存编号:
APT50M75JLLU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB024N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB024N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227044
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP027N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP027N08N5AKSA1-ND
别名:SP001132484
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 75A(Tc) 391W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R028G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R028G7XTMA1-ND
别名:SP001579312
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 21A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS654B_FP001
仓库库存编号:
IRFS654B_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5X6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 26A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6702
仓库库存编号:
785-1232-1-ND
别名:785-1232-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK6507-75C,127
仓库库存编号:
568-7488-5-ND
别名:568-7488-5
934064247127
BUK6507-75C,127-ND
BUK650775C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 123nC @ 10V,
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