产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3(3)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(3)
SC-70,SOT-323(2)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363(1)
SOT-563,SOT-666(2)
SOT-23-6(1)
SOT-23-3 扁平引线(1)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6(1)
6-SMD,扁平引线(1)
SC-96(1)
3-SMD,扁平引线(1)
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Diodes Incorporated(2)
STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
On Semiconductor(6)
Rohm Semiconductor(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(1)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(2)
重新选择
表面贴装(17)
重新选择
-55°C ~ 150°C(TJ)(5)
-55°C ~ 175°C(TJ)(4)
150°C(TJ)(8)
重新选择
-(10)
汽车级,AEC-Q101(1)
U-MOSVI(2)
PowerTrench?(1)
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?(1)
STripFET?? V(2)
重新选择
剪切带(CT) (9)
带卷(TR) (8)
重新选择
在售(10)
不可用于新设计(2)
上次购买时间(2)
过期(3)
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DPAK(1)
SOT-23(1)
SOT-323(2)
SC-70-6(1)
SOT-23-6(1)
SOT-23F(1)
TSMT3(1)
6-TSOP(1)
TO-252,(D-Pak)(2)
S-Mini(1)
3-CPH(1)
3-MCPH(1)
6-MCPH(1)
SOT-563/SCH6(1)
6-SCH(1)
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MOSFET(金属氧化物)(17)
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12V(1)
±20V(1)
±10V(5)
±8V(5)
±12V(5)
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4.6nC @ 4.5V(17)
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92 毫欧 @ 2.5A,4.5V(1)
150 毫欧 @ 1A,4.5V(1)
93 毫欧 @ 1.5A,4.5V(1)
90 毫欧 @ 1.5A,4.5V(1)
67 毫欧 @ 2.5A,4.5V(2)
95 毫欧 @ 1.5A,4.5V(2)
83 毫欧 @ 1.5A,4.5V(2)
30 毫欧 @ 2A,4.5V(2)
16.5 毫欧 @ 15A, 10V(1)
83 毫欧 @ 2A,4.5V(1)
75 毫欧 @ 12.5A,10V(2)
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4.5V,10V(1)
1.8V,4.5V(6)
1.5V,4.5V(2)
2.5V,4.5V(8)
重新选择
N 沟道(7)
P 沟道(9)
2 个 P 沟道(1)
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-(2)
3A(Ta)(2)
2.6A(Ta)(2)
2A(Ta)(1)
4A(Ta)(1)
2.5A(Ta)(3)
1.5A(Ta)(1)
3.9A(Ta)(1)
12.5A(Ta)(2)
38A(Tc)(1)
3.9A(Tc)(1)
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700pF @ 25V(1)
220pF @ 10V(1)
324pF @ 10V(1)
350pF @ 10V(1)
290pF @ 10V(1)
270pF @ 10V(1)
620pF @ 10V(2)
375pF @ 10V(5)
367pF @ 16V(2)
447pF @ 10V(2)
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-(16)
标准(1)
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-(4)
2.1V @ 250μA(1)
1.5V @ 250μA(4)
1V @ 1mA(1)
1.4V @ 250μA(2)
1.5V @ 1mA(1)
1.3V @ 1mA(2)
700mV @ 250μA(最小)(2)
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500mW(Ta)(2)
600mW(Ta)(1)
420mW(Ta)(1)
1W(Ta)(6)
1.5W(Ta)(1)
350mW(Tc)(1)
3W(Tc)(1)
1.6W(Tc)(1)
27W(Tc)(1)
2W(Ta),18.8W(Tc)(2)
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20V(13)
30V(3)
60V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RTR025N03TL
仓库库存编号:
RTR025N03TLCT-ND
别名:RTR025N03TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J327R,LF
仓库库存编号:
SSM3J327RLFCT-ND
别名:SSM3J327RLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 600mW(Ta) S-Mini
型号:
SSM3J325F,LF
仓库库存编号:
SSM3J325FLFCT-ND
别名:SSM3J325FLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3350-TL-W
仓库库存编号:
CPH3350-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3350-TL-WOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mW(Tc) SOT-23
型号:
STR2N2VH5
仓库库存编号:
497-13883-1-ND
别名:497-13883-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN3067LW-7
仓库库存编号:
DMN3067LW-7DICT-ND
别名:DMN3067LW-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT5N2VH5
仓库库存编号:
497-13786-1-ND
别名:497-13786-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 27W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C684NLT4G
仓库库存编号:
NVD5C684NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5C684NLT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN3067LW-13
仓库库存编号:
DMN3067LW-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) 3-MCPH
型号:
MCH3377-TL-W
仓库库存编号:
MCH3377-TL-W-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT563
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-563/SCH6
型号:
SCH1332-TL-W
仓库库存编号:
SCH1332-TL-WOSCT-ND
别名:SCH1332-TL-WOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.5A SCH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1332-TL-H
仓库库存编号:
SCH1332-TL-H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6321-TL-W
仓库库存编号:
MCH6321-TL-W-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 2 个 P 沟道 3.9A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3985EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3985EV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG329N
仓库库存编号:
FDG329N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 12.5A(Ta) 2W(Ta),18.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD421
仓库库存编号:
AOD421-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 12.5A(Ta) 2W(Ta),18.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD421_001
仓库库存编号:
AOD421_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,
无铅
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