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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600C6
  仓库库存编号：IPP60R600C6-ND
  别名：IPP60R600C6XKSA1
  SP000645074
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 4.3W（Ta），70W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N10LF3
  仓库库存编号：497-13652-1-ND
  别名：497-13652-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600E6
  仓库库存编号：IPD60R600E6CT-ND
  别名：IPD60R600E6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001276044
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
  详细描述：N 沟道 9.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001508816
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6BKMA1-ND
  别名：SP000931534
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Tc） 61W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN4R5-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5305-1-ND
  别名：1727-5305-1
  568-6738-1
  568-6738-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N380CP ROGTR-ND
  别名：TSM60N380CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N380CP ROGCT-ND
  别名：TSM60N380CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N380CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60N380CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM60N380CZ C0G
  仓库库存编号：TSM60N380CZ C0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60N380CH C5G
  仓库库存编号：TSM60N380CH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM60N380CI C0G
  仓库库存编号：TSM60N380CI C0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.9A（Ta） 1.45W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMG4407SSS-13
  仓库库存编号：DMG4407SSS-13DI-ND
  别名：DMG4407SSS-13DI
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 82W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R650CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R650CEBTMA1-ND
  别名：SP001369530
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6AKMA1-ND
  别名：SP001292878
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD60R600E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600E6ATMA1-ND
  别名：SP001117094
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R600CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R600CEXKSA1-ND
  别名：SP001391618
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R650CEATMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R600E6
  IPA60R600E6-ND
  SP000797298
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600E6
  仓库库存编号：IPP60R600E6-ND
  别名：IPP60R600E6XKSA1
  SP000797630
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600C6XKSA1-ND
  别名：IPA60R600C6
  IPA60R600C6-ND
  SP000660624
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6BTMA1CT
  IPD60R600C6INCT
  IPD60R600C6INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V,
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