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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.3W（Ta） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD17313Q2
  仓库库存编号：296-27233-1-ND
  别名：296-27233-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB200UNEYL
  仓库库存编号：1727-2327-1-ND
  别名：1727-2327-1
  568-12613-1
  568-12613-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3K335R,LF
  仓库库存编号：SSM3K335RLFCT-ND
  别名：SSM3K335RLF(TCT
  SSM3K335RLF(TCT-ND
  SSM3K335RLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.3W（Ta） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD17313Q2Q1
  仓库库存编号：296-35548-1-ND
  别名：296-35548-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ200UNEYL
  仓库库存编号：1727-2317-1-ND
  别名：1727-2317-1
  568-12603-1
  568-12603-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17382F4T
  仓库库存编号：296-44148-1-ND
  别名：296-44148-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -30V -2.5A MIDDLE POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E025ATTCL
  仓库库存编号：RQ5E025ATTCLCT-ND
  别名：RQ5E025ATTCLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17382F4
  仓库库存编号：CSD17382F4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta），2.37A（Tc） 1.32W（Ta），2.28W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1404BDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1404BDH-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta），2.37A（Tc） 1.32W（Ta），2.28W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1404BDH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1404BDH-T1-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Tc） 340mW（Ta），370mW（Tc） SC-70-3
  
  型号：SI1304BDL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1304BDL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1304BDL-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Tc） 340mW（Ta），370mW（Tc） SC-70-3
  
  型号：SI1304BDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1304BDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1304BDL-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V,
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