产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 40A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4189
仓库库存编号：
785-1351-1-ND
别名：785-1351-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN020-100YS,115
仓库库存编号：
1727-4286-1-ND
别名：1727-4286-1
568-4975-1
568-4975-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS410DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS410DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS410DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4896DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4896DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4896DY-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7852DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7852DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7852DP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
STP24NF10
仓库库存编号：
497-3185-5-ND
别名：497-3185-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN3R5-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4166-1-ND
别名：1727-4166-1
568-4682-1
568-4682-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7854TRPBF
仓库库存编号：
IRF7854TRPBFCT-ND
别名：IRF7854TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4896DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4896DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4896DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名：SPD06N80C3ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP50N06
仓库库存编号：
FQP50N06FS-ND
别名：FQP50N06-ND
FQP50N06FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 250W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N250HV
仓库库存编号：
IXTT1N250HV-ND
别名：628949
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7451TRPBF
仓库库存编号：
IRF7451PBFCT-ND
别名：*IRF7451TRPBF
IRF7451PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR15N20DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR15N20DTRPBFCT-ND
别名：IRFR15N20DTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R310CFD
仓库库存编号：
IPB65R310CFDCT-ND
别名：IPB65R310CFDCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF634PBF
仓库库存编号：
IRF634PBF-ND
别名：*IRF634PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN1R603PL,L1Q
仓库库存编号：
TPN1R603PLL1QCT-ND
别名：TPN1R603PLL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STP9NK65ZFP
仓库库存编号：
497-12621-5-ND
别名：497-12621-5
STP9NK65ZFP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
型号：
NTD4904NT4G
仓库库存编号：
NTD4904NT4GOSCT-ND
别名：NTD4904NT4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Ta） 940mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3017SFGQ-7
仓库库存编号：
DMP3017SFGQ-7DICT-ND
别名：DMP3017SFGQ-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86320
仓库库存编号：
FDMS86320CT-ND
别名：FDMS86320CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS4480
仓库库存编号：
FDS4480CT-ND
别名：FDS4480CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 46W（Tc）
型号：
SQD19P06-60L_GE3
仓库库存编号：
SQD19P06-60L_GE3CT-ND
别名：SQD19P06-60L_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8672S
仓库库存编号：
FDS8672SCT-ND
别名：FDS8672SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3572
仓库库存编号：
FDS3572CT-ND
别名：FDS3572CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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