产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(5)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6(1)
TO-226-3，TO-92-3 短体(1)
8-PowerUDFN(1)
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Diodes Incorporated(2)
Nexperia USA Inc.(1)
Rohm Semiconductor(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(2)
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表面贴装(7)
通孔(1)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(5)
150°C（TJ）(3)
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-(3)
汽车级，AEC-Q101(2)
SIPMOS?(2)
U-MOSVI-H(1)
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剪切带（CT） (4)
带卷（TR） (3)
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在售(7)
已不再提供(1)
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SOT-23-3(2)
TO-236AB（SOT23）(1)
TO-92-3(1)
PG-SC-59(2)
HUML2020L8(1)
VS-6（2.9x2.8）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(8)
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±30V(1)
±20V(6)
±12V(1)
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4.8nC @ 10V(8)
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350 毫欧 @ 600mA，10V(1)
45 毫欧 @ 2.5A，4.5V(1)
60 毫欧 @ 3A，10V(1)
11 欧姆 @ 140mA，10V(2)
21.4 毫欧 @ 7A，10V(1)
222 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
16.5 欧姆 @ 100mA，10V(1)
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10V(1)
4.5V，10V(4)
2.5V，4.5V(1)
2.8V，10V(2)
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N 沟道(5)
P 沟道(3)
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200mA（Ta）(1)
1.5A（Ta）(1)
140mA（Ta）(2)
1.1A（Ta）(1)
5.9A（Ta）(1)
4.9A（Ta）(1)
7A（Ta）(1)
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140pF @ 25V(1)
220pF @ 15V(1)
300pF @ 10V(1)
452pF @ 10V(1)
66pF @ 25V(1)
109pF @ 25V(2)
177pF @ 30V(1)
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-(8)
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-(1)
2.5V @ 250μA(1)
1V @ 250μA(1)
1.5V @ 250μA(1)
2.7V @ 250μA(1)
1V @ 130μA(2)
2.3V @ 100μA(1)
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500mW（Ta）(1)
700mW（Ta）(1)
625mW（Ta）(1)
750mW（Ta）(1)
500mW（Tc）(1)
2W（Ta）(1)
1.4W(1)
480mW（Ta）, 1.45W（Tc）(1)
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20V(1)
30V(3)
60V(1)
250V(2)
600V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61P03FTA
仓库库存编号：
ZXM61P03FCT-ND
别名：ZXM61P03F
ZXM61P03FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 140mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
型号：
BSR92PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR92PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR92PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E070GNTR
仓库库存编号：
RF4E070GNTRCT-ND
别名：RF4E070GNTRCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 480mW（Ta）, 1.45W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV230ENEAR
仓库库存编号：
1727-2527-1-ND
别名：1727-2527-1
568-12966-1
568-12966-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Ta） 1.4W SOT-23-3
型号：
ZXMN2F30FHQTA
仓库库存编号：
ZXMN2F30FHQTA-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6008-H(TE85L,FM
仓库库存编号：
TPC6008-H(TE85LFM-ND
别名：TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 600V 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
型号：
HS54095TZ-E
仓库库存编号：
HS54095TZ-E-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 140mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR92PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR92P L6327
BSR92P L6327-ND
SP000265408
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 10V,
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邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
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