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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMP6A13FTA
  仓库库存编号：ZXMP6A13FCT-ND
  别名：ZXMP6A13FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.9nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP6A13GTA
  仓库库存编号：ZXMP6A13GCT-ND
  别名：ZXMP6A13GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.9nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J334R,LF
  仓库库存编号：SSM3J334RLFCT-ND
  别名：SSM3J334RLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），9.4A（Tc） 2.3W（Ta），26W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86244
  仓库库存编号：FDMC86244CT-ND
  别名：FDMC86244CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP324H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP324H6327XTSA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324 E6327
  仓库库存编号：BSP324 E6327-ND
  别名：BSP324E6327T
  SP000011117
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.9nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP324L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP324 L6327CT
  BSP324 L6327CT-ND
  BSP324L6327
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.9nC @ 10V,
• 无铅
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