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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6209-30C,118
  仓库库存编号：1727-5502-1-ND
  别名：1727-5502-1
  568-6980-1
  568-6980-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM60N
  仓库库存编号：497-7931-1-ND
  别名：497-7931-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L-13
  仓库库存编号：SPB42N03S2L13INCT-ND
  别名：SPB42N03S2L13
  SPB42N03S2L13INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4985NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4985NFT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 41W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS782DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS782DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），65A（Tc） 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4985NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4985NFT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4965NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4965NFT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4965NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4965NFT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB12NM60N-1
  仓库库存编号：STB12NM60N-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12NM60N
  仓库库存编号：497-7466-5-ND
  别名：497-7466-5
  STF12NM60N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NM60N
  仓库库存编号：497-7503-5-ND
  别名：497-7503-5
  STP12NM60N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW12NM60N
  仓库库存编号：497-7615-5-ND
  别名：497-7615-5
  STW12NM60N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP42N03S2L-13
  仓库库存编号：SPP42N03S2L-13IN-ND
  别名：SPP42N03S2L-13IN
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L13T
  仓库库存编号：SPB42N03S2L13T-ND
  别名：SP000016256
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP42N03S2L13
  仓库库存编号：SPP42N03S2L-13TIN-ND
  别名：SP000013464
  SPP42N03S2L-13XTIN
  SPP42N03S2L-13XTIN-ND
  SPP42N03S2L13X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L-13 G
  仓库库存编号：SPB42N03S2L-13 G-ND
  别名：SP000200137
  SPB42N03S2L13GXT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI42N03S2L-13
  仓库库存编号：SPI42N03S2L-13-ND
  别名：SP000013897
  SPI42N03S2L13X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.5nC @ 10V,
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