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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y19-100E,115
  仓库库存编号：1727-1855-1-ND
  别名：1727-1855-1
  568-11546-1
  568-11546-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS090P03TB
  仓库库存编号：RSS090P03TBCT-ND
  别名：RSS090P03TBCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS090P03FU7TB
  仓库库存编号：RSS090P03FU7TB-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH100P03TB1
  仓库库存编号：RRH100P03TB1CT-ND
  别名：RRH100P03TB1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS090P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS090P03FU6TB-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E100RPTR
  仓库库存编号：RP1E100RPCT-ND
  别名：RP1E100RPCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03SG
  仓库库存编号：BSC032N03SGINCT-ND
  别名：BSC032N03SGINCT
  BSC032N03SGXTINCT
  BSC032N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03S
  仓库库存编号：BSC032N03S-ND
  别名：BSC032N03ST
  SP000014714
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 5V,
• 含铅
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