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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 34A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y30-75B,115
  仓库库存编号：1727-4942-1-ND
  别名：1727-4942-1
  568-6236-1
  568-6236-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPDH6N03LAG
  仓库库存编号：IPDH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPDH6N03LAGINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2024ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2024ENGRCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024ENG
  仓库库存编号：917-EPC2024ENG-ND
  别名：917-EPC2024ENG
  EPC2024ENGRC3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 12.8W（Tc） TO-126
  
  型号：FQE10N20LCTU
  仓库库存编号：FQE10N20LCTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6694
  仓库库存编号：FDS6694-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6104(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6104(TE85L,F,M)-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8102(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8102(TE85L,F,M-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 900mW（Ta），2.1W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC6296
  仓库库存编号：FDMC6296-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 93W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP70N03-09BP-E3
  仓库库存编号：SUP70N03-09BP-E3-ND
  别名：SUP70N03-09BP-E3CT
  SUP70N03-09BP-E3CT-ND
  SUP70N0309BPE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 65W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD45N03LTA,118
  仓库库存编号：PHD45N03LTA,118-ND
  别名：934056763118
  PHD45N03LTA /T3
  PHD45N03LTA /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH3075L,115
  仓库库存编号：PH3075L,115-ND
  别名：934058853115
  PH3075L T/R
  PH3075L T/R-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 40A（Tc） 65W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45N03LTA,127
  仓库库存编号：PHP45N03LTA,127-ND
  别名：934056739127
  PHP45N03LTA
  PHP45N03LTA-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPBH6N03LA
  仓库库存编号：IPBH6N03LA-ND
  别名：IPBH6N03LAT
  SP000068587
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD20N03L G
  仓库库存编号：IPD20N03L G-ND
  别名：IPD20N03LGXT
  SP000017603
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPFH6N03LA G
  仓库库存编号：IPFH6N03LA G-ND
  别名：IPFH6N03LAGXT
  SP000068589
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSH6N03LA G
  仓库库存编号：IPSH6N03LA G-ND
  别名：IPSH6N03LAGX
  SP000075257
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPUH6N03LA G
  仓库库存编号：IPUH6N03LA G-ND
  别名：IPUH6N03LAGX
  SP000068594
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPBH6N03LA G
  仓库库存编号：IPBH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPBH6N03LAG
  IPBH6N03LAGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 5V,
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