产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R9-40E,118
仓库库存编号:
1727-7251-1-ND
别名:1727-7251-1
568-9880-1
568-9880-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN035-150B,118
仓库库存编号:
1727-4773-1-ND
别名:1727-4773-1
568-5951-1
568-5951-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413TRPBF
仓库库存编号:
IRF7413PBFCT-ND
别名:*IRF7413TRPBF
IRF7413PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 234W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E3R1-40E,127
仓库库存编号:
1727-7244-ND
别名:1727-7244
568-9852-5
568-9852-5-ND
934066417127
BUK7E3R140E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 50A SOT78
详细描述:通孔 N 沟道 150V 50A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN035-150P,127
仓库库存编号:
1727-4661-ND
别名:1727-4661
568-5778
568-5778-5
568-5778-5-ND
568-5778-ND
934055716127
PSMN035-150P
PSMN035-150P,127-ND
PSMN035-150P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R1-40E,127
仓库库存编号:
1727-7236-ND
别名:1727-7236
568-9841-5
568-9841-5-ND
934066424127
BUK753R140E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA160N04T2
仓库库存编号:
IXTA160N04T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA130N065T2
仓库库存编号:
IXTA130N065T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP130N065T2
仓库库存编号:
IXTP130N065T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP160N04T2
仓库库存编号:
IXTP160N04T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 7.7A(Ta) 3.8W(Ta),42W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU3580
仓库库存编号:
FDU3580-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 40A(Ta) 1.75W(Ta),60W(Tc) TO-220
型号:
2SK3827
仓库库存编号:
2SK3827-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M012A080NG
仓库库存编号:
1560-1211-5-ND
别名:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413A
仓库库存编号:
IRF7413A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413ATR
仓库库存编号:
IRF7413ATR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 78A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB110N06L G
仓库库存编号:
IPB110N06LGINCT-ND
别名:IPB110N06LG
IPB110N06LGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7413QTRPBFCT-ND
别名:IRF7413QTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7413GTRPBFCT-ND
别名:IRF7413GTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 79nC @ 10V,
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