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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK763R8-80E,118
  仓库库存编号：1727-1890-1-ND
  别名：1727-1890-1
  568-11623-1
  568-11623-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86563_F085
  仓库库存编号：FDBL86563_F085CT-ND
  别名：FDBL86563_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86363_F085
  仓库库存编号：FDBL86363_F085CT-ND
  别名：FDBL86363_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0150N60
  仓库库存编号：FDBL0150N60CT-ND
  别名：FDBL0150N60CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0210N80
  仓库库存编号：FDBL0210N80CT-ND
  别名：FDBL0210N80CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK753R8-80E,127
  仓库库存编号：1727-7237-ND
  别名：1727-7237
  568-9843-5
  568-9843-5-ND
  934066482127
  BUK753R880E127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB012N03LX3 G
  仓库库存编号：BSB012N03LX3 GCT-ND
  别名：BSB012N03LX3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E4R0-80E,127
  仓库库存编号：568-9854-5-ND
  别名：568-9854-5
  934066516127
  BUK7E4R080E127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 169nC @ 10V,
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