产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix (18)
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.9A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2343CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2343CDS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7898DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7898DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7898DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2343DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2343DS-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7898DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7898DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7898DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2343DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2343DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2343DS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2319CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2319CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2319CDS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4485DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4485DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4485DY-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4848DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4848DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4848DY-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4848DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4848DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4848DY-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8W
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQSA80ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQSA80ENW-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3457EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3457EV-T1_GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3410EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3410EV-T1_GE3-ND
别名:SQ3410EV-T1-GE3
SQ3410EV-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.4A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7302DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7302DN-T1-E3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.24A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7802DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7802DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7802DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.24A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7802DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7802DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7802DN-T1-GE3CT
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MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343DS-T1
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8467DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8467DB-T2-E1CT-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 220V 8.4A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7302DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7302DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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