产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2316DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2316DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2316DS-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3K318R,LF
仓库库存编号：
SSM3K318RLFCT-ND
别名：SSM3K318RLFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV213SN,215
仓库库存编号：
1727-6294-1-ND
别名：1727-6294-1
568-8112-1
568-8112-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS8622
仓库库存编号：
FDMS8622CT-ND
别名：FDMS8622CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT86106LZ
仓库库存编号：
FDT86106LZCT-ND
别名：FDT86106LZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 360mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
型号：
BSR316PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR316PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR316PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STD2NC45-1
仓库库存编号：
497-12554-5-ND
别名：497-12554-5
STD2NC45-1-ND
STD2NC451
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.4A（Ta） 700mW（Ta）, 1.8W（Tc） U-DFN2020-6（B 类）
型号：
DMT3020LFDF-7
仓库库存编号：
DMT3020LFDF-7DICT-ND
别名：DMT3020LFDF-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N15TM
仓库库存编号：
FQD5N15TMCT-ND
别名：FQD5N15TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.2W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT86244
仓库库存编号：
FDT86244CT-ND
别名：FDT86244CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN5900CNH,L1Q
仓库库存编号：
TPN5900CNHL1QCT-ND
别名：TPN5900CNHL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN2010FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPN2010FNHL1QCT-ND
别名：TPN2010FNHL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 38W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号：
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名：BSZ900N15NS3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3N30
仓库库存编号：
FQP3N30-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 3.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220
型号：
IXFP4N85XM
仓库库存编号：
IXFP4N85XM-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP4N85X
仓库库存编号：
IXFP4N85X-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA4N85X
仓库库存编号：
IXFA4N85X-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252（IXFY）
型号：
IXFY4N85X
仓库库存编号：
IXFY4N85X-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NVTR4503NT1G
仓库库存编号：
NVTR4503NT1GOSCT-ND
别名：NVTR4503NT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR4503NT1G
仓库库存编号：
NTR4503NT1GOSCT-ND
别名：NTR4503NT1GOSCT
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH5900CNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH5900CNHL1QCT-ND
别名：TPH5900CNHL1QCT
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3.1W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1NC45R-AP
仓库库存编号：
STQ1NC45R-AP-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23
型号：
ZXMP3F30FHTA
仓库库存编号：
ZXMP3F30FHTADITR-ND
别名：ZXMP3F30FHTADI
ZXMP3F30FHTADI-ND
ZXMP3F30FHTADITR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN1616-
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.7W（Ta） U-DFN1616-6
型号：
DMT3020LFCL-7
仓库库存编号：
DMT3020LFCL-7-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
型号：
MCH3486-TL-W
仓库库存编号：
MCH3486-TL-W-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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