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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.56W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF5P03T3G
  仓库库存编号：NTF5P03T3GOSCT-ND
  别名：NTF5P03T3GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2572
  仓库库存编号：FDS2572CT-ND
  别名：FDS2572CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NF20
  仓库库存编号：497-5825-5-ND
  别名：497-5825-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6670AS
  仓库库存编号：FDS6670ASFSCT-ND
  别名：FDS6670ASFSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN4R0-40YS,115
  仓库库存编号：1727-4273-1-ND
  别名：1727-4273-1
  568-4905-1
  568-4905-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR13N20DPBFCT-ND
  别名：*IRFR13N20DTRPBF
  IRFR13N20DPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830PBF
  仓库库存编号：IRF830PBF-ND
  别名：*IRF830PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4620TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4620TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4620TRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730PBF
  仓库库存编号：IRF730PBF-ND
  别名：*IRF730PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG20PBF
  仓库库存编号：IRFBG20PBF-ND
  别名：*IRFBG20PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9530PBF
  仓库库存编号：IRF9530PBF-ND
  别名：*IRF9530PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9393TRPBF
  仓库库存编号：IRF9393TRPBFCT-ND
  别名：IRF9393TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD040N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD040N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD040N03LGINCT
  IPD040N03LGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），50A（Tc） 6.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7280
  仓库库存编号：785-1614-1-ND
  别名：785-1614-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF15P12
  仓库库存编号：FQPF15P12-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBF20PBF
  仓库库存编号：IRFBF20PBF-ND
  别名：*IRFBF20PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW23N85K5
  仓库库存编号：497-14581-5-ND
  别名：497-14581-5
  STW23N85K5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 60W（Tc） DP
  
  型号：TK50P04M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
  别名：TK50P04M1(T6RSSQ)CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH5R906NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH5R906NHL1QCT-ND
  别名：TPH5R906NHL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI730GPBF
  仓库库存编号：IRFI730GPBF-ND
  别名：*IRFI730GPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA84DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA84DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA84DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Tc） 5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5457DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5457DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5457DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Tc） 4.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4431CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4431CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4431CDY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 49A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7626-100B,118
  仓库库存编号：1727-4705-1-ND
  别名：1727-4705-1
  568-5855-1
  568-5855-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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