产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），32A（Tc） 3.1W（Ta），62.5W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7508
仓库库存编号：
785-1504-1-ND
别名：785-1504-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS4435BZ
仓库库存编号：
FDS4435BZCT-ND
别名：FDS4435BZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 71W（Tc） DPAK
型号：
NTD6416ANLT4G
仓库库存编号：
NTD6416ANLT4GOSCT-ND
别名：NTD6416ANLT4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.3A（Tc） 2.3W（Ta），38.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19P06-60-GE3
仓库库存编号：
SUD19P06-60-GE3CT-ND
别名：SUD19P06-60-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD15NF10T4
仓库库存编号：
497-7958-1-ND
别名：497-7958-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7465DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7465DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7465DP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 2.7W（Ta），46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19P06-60L-E3
仓库库存编号：
SUD19P06-60L-E3CT-ND
别名：SUD19P06-60L-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7465DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7465DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7465DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7421DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7421DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7421DN-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
FDD18N20LZ
仓库库存编号：
FDD18N20LZCT-ND
别名：FDD18N20LZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD25N15-52-E3
仓库库存编号：
SUD25N15-52-E3CT-ND
别名：SUD25N15-52-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS3572
仓库库存编号：
FDMS3572CT-ND
别名：FDMS3572CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N90TM
仓库库存编号：
FQB5N90TMCT-ND
别名：FQB5N90TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N450HV
仓库库存编号：
IXTT1N450HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF1N450
仓库库存编号：
IXTF1N450-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7205TRPBF
仓库库存编号：
IRF7205PBFCT-ND
别名：*IRF7205TRPBF
IRF7205PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD14N05LSM9A
仓库库存编号：
RFD14N05LSM9ACT-ND
别名：RFD14N05LSM9ACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86520
仓库库存编号：
FDMS86520CT-ND
别名：FDMS86520CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD14N05LSM
仓库库存编号：
RFD14N05LSM-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-251AA
型号：
RFD14N05L
仓库库存编号：
RFD14N05L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB12P20TM
仓库库存编号：
FQB12P20TMCT-ND
别名：FQB12P20TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB9NK80Z
仓库库存编号：
497-13936-1-ND
别名：497-13936-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL630PBF
仓库库存编号：
IRL630PBF-ND
别名：*IRL630PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK13A60DSTA4QM-ND
别名：TK13A60DSTA4QM
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
AOK42S60L
仓库库存编号：
785-1535-5-ND
别名：AOK42S60L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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