产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),32A(Tc) 3.1W(Ta),62.5W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7508
仓库库存编号:
785-1504-1-ND
别名:785-1504-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4435BZ
仓库库存编号:
FDS4435BZCT-ND
别名:FDS4435BZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NTD6416ANLT4G
仓库库存编号:
NTD6416ANLT4GOSCT-ND
别名:NTD6416ANLT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.3A(Tc) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19P06-60-GE3
仓库库存编号:
SUD19P06-60-GE3CT-ND
别名:SUD19P06-60-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD15NF10T4
仓库库存编号:
497-7958-1-ND
别名:497-7958-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7465DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7465DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7465DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 2.7W(Ta),46W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19P06-60L-E3
仓库库存编号:
SUD19P06-60L-E3CT-ND
别名:SUD19P06-60L-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7465DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7465DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7465DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7421DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7421DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7421DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD18N20LZ
仓库库存编号:
FDD18N20LZCT-ND
别名:FDD18N20LZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD25N15-52-E3
仓库库存编号:
SUD25N15-52-E3CT-ND
别名:SUD25N15-52-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS3572
仓库库存编号:
FDMS3572CT-ND
别名:FDMS3572CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N90TM
仓库库存编号:
FQB5N90TMCT-ND
别名:FQB5N90TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N450HV
仓库库存编号:
IXTT1N450HV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900mA(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1N450
仓库库存编号:
IXTF1N450-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7205TRPBF
仓库库存编号:
IRF7205PBFCT-ND
别名:*IRF7205TRPBF
IRF7205PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 48W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD14N05LSM9A
仓库库存编号:
RFD14N05LSM9ACT-ND
别名:RFD14N05LSM9ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86520
仓库库存编号:
FDMS86520CT-ND
别名:FDMS86520CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 48W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD14N05LSM
仓库库存编号:
RFD14N05LSM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
RFD14N05L
仓库库存编号:
RFD14N05L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.5A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12P20TM
仓库库存编号:
FQB12P20TMCT-ND
别名:FQB12P20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK80Z
仓库库存编号:
497-13936-1-ND
别名:497-13936-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL630PBF
仓库库存编号:
IRL630PBF-ND
别名:*IRL630PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A60DSTA4QM-ND
别名:TK13A60DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
AOK42S60L
仓库库存编号:
785-1535-5-ND
别名:AOK42S60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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