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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6K211FE,LF
  仓库库存编号：SSM6K211FELFCT-ND
  别名：SSM6K211FE(TE85LFCT
  SSM6K211FE(TE85LFCT-ND
  SSM6K211FELFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG332PZ
  仓库库存编号：FDG332PZCT-ND
  别名：FDG332PZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta），48A（Tc） 920mW（Ta），23.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4955NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4955NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4955NT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 8.5A（Ta），44A（Tc） 1.27W（Ta），33.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4865N-1G
  仓库库存编号：NTD4865N-1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 8.5A（Ta），44A（Tc） 1.27W（Ta），33.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4865N-35G
  仓库库存编号：NTD4865N-35G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 8.5A（Ta），44A（Tc） 1.27W（Ta），33.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4865NT4G
  仓库库存编号：NTD4865NT4G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8656-TL-H
  仓库库存编号：ECH8656-TL-H-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB16XN,115
  仓库库存编号：568-10454-1-ND
  别名：568-10454-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.8nC @ 4.5V,
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