产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2323CX RFG
仓库库存编号:
TSM2323CX RFGTR-ND
别名:TSM2323CX RFGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2323CX RFG
仓库库存编号:
TSM2323CX RFGCT-ND
别名:TSM2323CX RFGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2323CX RFG
仓库库存编号:
TSM2323CX RFGDKR-ND
别名:TSM2323CX RFGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45.5A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 45.5A(Tc) 25W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA88DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA88DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA88DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 20V 6A 6SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2.5W(Ta) 6-HUSON(2x2)
型号:
UPA2631T1R-E2-AX
仓库库存编号:
UPA2631T1R-E2-AX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.9A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3419AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3419AEEV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS9NF30L
仓库库存编号:
497-3234-1-ND
别名:497-3234-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 4.5V,
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