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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001467044
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001429758
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R950CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R950CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R950CEAUMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2W（Ta），17.2W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E150GNTB
  仓库库存编号：RQ3E150GNTBCT-ND
  别名：RQ3E150GNTBCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R950C6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R950C6AKMA1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001421368
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPS65R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001276048
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 8.7A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001605396
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R950C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R950C6ATMA1-ND
  别名：SP001107082
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252
  
  型号：IPAW70R950CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW70R950CEXKSA1-ND
  别名：SP001619372
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 10V,
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