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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28.1A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN039-100YS,115
  仓库库存编号：1727-4629-1-ND
  别名：1727-4629-1
  568-5586-1
  568-5586-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS438DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS438DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS438DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 91W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN011-60MSX
  仓库库存编号：1727-1506-1-ND
  别名：1727-1506-1
  568-10986-1
  568-10986-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3P50TM
  仓库库存编号：FQD3P50TMCT-ND
  别名：FQD3P50TMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2.7A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3P50
  仓库库存编号：FQP3P50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
  
  型号：SIA817EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA817EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 1.6W（Ta），34W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH11006NL,LQ
  仓库库存编号：TPH11006NLLQCT-ND
  别名：TPH11006NLLQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7716ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7716ADN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27.5A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456CDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456CDP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P40TM
  仓库库存编号：FQD4P40TMCT-ND
  别名：FQD4P40TM-ND
  FQD4P40TMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC100N03MSGINCT
  BSC100N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC024NE2LS
  仓库库存编号：BSC024NE2LSCT-ND
  别名：BSC024NE2LSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR484DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR484DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR484DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6690AS
  仓库库存编号：FDS6690ASCT-ND
  别名：FDS6690ASCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU220NPBF
  仓库库存编号：IRFU220NPBF-ND
  别名：*IRFU220NPBF
  SP001567710
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF200B211
  仓库库存编号：IRF200B211-ND
  别名：SP001561622
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），75A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF030NE2LQ
  仓库库存编号：BSF030NE2LQCT-ND
  别名：BSF030NE2LQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB065N03L G
  仓库库存编号：IPB065N03LGINCT-ND
  别名：IPB065N03LGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C460NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C460NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C460NLT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600C6
  仓库库存编号：IPD65R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600C6CT
  IPD65R600C6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 620V 4.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STDLED625H
  仓库库存编号：497-13943-1-ND
  别名：497-13943-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A80W,S4X
  仓库库存编号：TK12A80WS4X-ND
  别名：TK12A80W,S4X(S
  TK12A80WS4X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E80W,S1X
  仓库库存编号：TK12E80WS1X-ND
  别名：TK12E80W,S1X(S
  TK12E80WS1X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E070BNTCL
  仓库库存编号：RQ5E070BNTCLCT-ND
  别名：RQ5E070BNTCLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），27W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7692S_F127
  仓库库存编号：FDMC7692S_F127CT-ND
  别名：FDMC7692S_F127CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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