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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZXMN6A07ZTA
  仓库库存编号：ZXMN6A07ZCT-ND
  别名：ZXMN6A07ZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN6A07FTA
  仓库库存编号：ZXMN6A07FCT-ND
  别名：ZXMN6A07FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
  
  型号：MMFT960T1
  仓库库存编号：MMFT960T1OSCT-ND
  别名：MMFT960T1OSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
  
  型号：MMFT960T1G
  仓库库存编号：MMFT960T1GOSCT-ND
  别名：MMFT960T1GOS
  MMFT960T1GOS-ND
  MMFT960T1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4435BCS RLG
  仓库库存编号：TSM4435BCS RLGTR-ND
  别名：TSM4435BCS RLGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4435BCS RLG
  仓库库存编号：TSM4435BCS RLGCT-ND
  别名：TSM4435BCS RLGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4435BCS RLG
  仓库库存编号：TSM4435BCS RLGDKR-ND
  别名：TSM4435BCS RLGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V,
• 无铅
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