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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1N60CTM
  仓库库存编号：FQD1N60CTMCT-ND
  别名：FQD1N60CTMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT1N60CTF_WS
  仓库库存编号：FQT1N60CTF_WSCT-ND
  别名：FQT1N60CTF_WSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 1W（Ta），3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQN1N60CTA
  仓库库存编号：FQN1N60CTACT-ND
  别名：FQN1N60CTACT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU1N60CTU
  仓库库存编号：FQU1N60CTUFS-ND
  别名：FQU1N60CTU-ND
  FQU1N60CTUFS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 19A（Tc） 31W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M45-40EX
  仓库库存编号：1727-2563-1-ND
  别名：1727-2563-1
  568-13007-1
  568-13007-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-251
  
  型号：RJK6002DPH-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6002DPH-E0#T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 5A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD5N25S3430ATMA1
  仓库库存编号：IPD5N25S3430ATMA1-ND
  别名：SP000876584
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1N60CTF
  仓库库存编号：FQD1N60CTF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1419DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1419DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1419DH-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 300mA（Tc） 1W（Ta），3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQN1N60CBU
  仓库库存编号：FQN1N60CBU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK6002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK6002DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 10V,
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