以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 68.8A（Tc） 3W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMT10H010LK3-13
  仓库库存编号：DMT10H010LK3-13DICT-ND
  别名：DMT10H010LK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 100V 108A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH10H010LCT
  仓库库存编号：DMTH10H010LCTDI-5-ND
  别名：DMTH10H010LCTDI-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Ta） 800mW（Ta）, 12.5W（Tc） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMT2004UFDF-13
  仓库库存编号：DMT2004UFDF-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Ta） 800mW（Ta）, 12.5W（Tc） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMT2004UFDF-7
  仓库库存编号：DMT2004UFDF-7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT2004UFG-13
  仓库库存编号：DMT2004UFG-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT2004UFG-7
  仓库库存编号：DMT2004UFG-7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT2004UPS-13
  仓库库存编号：DMT2004UPS-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH10H010LCTB-13
  仓库库存编号：DMTH10H010LCTB-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 37.6A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM30NQ10T,518
  仓库库存编号：PHM30NQ10T,518-ND
  别名：934057308518
  PHM30NQ10T /T3
  PHM30NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53.7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索