产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL9110PBFCT-ND
别名:*IRFL9110TRPBF
IRFL9110PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9110PBFCT-ND
别名:*IRFR9110TRPBF
IRFR9110PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9510STRLPBFCT-ND
别名:IRF9510STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9110PBF
仓库库存编号:
IRFD9110PBF-ND
别名:*IRFD9110PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510PBF
仓库库存编号:
IRF9510PBF-ND
别名:*IRF9510PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta),7.1A(Tc) 1.9W(Ta) SOT-223
型号:
DMN15H310SE-13
仓库库存编号:
DMN15H310SE-13DICT-ND
别名:DMN15H310SE-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC12DN20NS3 G
仓库库存编号:
BSC12DN20NS3GCT-ND
别名:BSC12DN20NS3GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9110PBF
仓库库存编号:
IRFU9110PBF-ND
别名:*IRFU9110PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ12DN20NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A PWRFLAT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 4.3W(Ta), 52W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL7N6LF3
仓库库存编号:
497-16042-1-ND
别名:497-16042-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 150V 8.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Tc) 32W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMN15H310SK3-13
仓库库存编号:
DMN15H310SK3-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 650mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS4930NTAG
仓库库存编号:
NTLUS4930NTAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 650mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS4930NTBG
仓库库存编号:
NTLUS4930NTBG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9110TRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR9110TRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 7.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL202SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL202SNH6327XTSA1-ND
别名:SP001100644
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510
仓库库存编号:
IRF9510-ND
别名:*IRF9510
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9110
仓库库存编号:
IRFD9110-ND
别名:*IRFD9110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510S
仓库库存编号:
IRF9510S-ND
别名:*IRF9510S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9110
仓库库存编号:
IRFL9110-ND
别名:*IRFL9110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9110TR
仓库库存编号:
IRFL9110TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110
仓库库存编号:
IRFR9110-ND
别名:*IRFR9110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TR
仓库库存编号:
IRFR9110TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRL
仓库库存编号:
IRFR9110TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9110
仓库库存编号:
IRFU9110-ND
别名:*IRFU9110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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