产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.6A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) Power56
型号:
FDMS5352
仓库库存编号:
FDMS5352CT-ND
别名:FDMS5352CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03LS G
仓库库存编号:
BSC014N03LS GCT-ND
别名:BSC014N03LS GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S51R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R2ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90N04-3M3P-GE3
仓库库存编号:
SUP90N04-3M3P-GE3-ND
别名:SUP90N04-3M3P-GE3CT
SUP90N04-3M3P-GE3CT-ND
SUP90N043M3PGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90N04-3M3P-E3
仓库库存编号:
SUM90N04-3M3P-E3CT-ND
别名:SUM90N04-3M3P-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 8.4A(Tc) 49W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS750A
仓库库存编号:
IRFS750A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 11.5A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 400V 11.5A(Tc) 92W(Tc) TO-3PF
型号:
IRFS350A
仓库库存编号:
IRFS350A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 131nC @ 10V,
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