产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Diodes Incorporated
MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1.8W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP3050LVT-7
仓库库存编号:
DMP3050LVT-7DICT-ND
别名:DMP3050LVT-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001276050
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R1K4C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K4C6AKMA1-ND
别名:SP000991120
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3024SFG-7
仓库库存编号:
DMN3024SFG-7DICT-ND
别名:DMN3024SFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
DMP3050LSS-13
仓库库存编号:
DMP3050LSS-13DICT-ND
别名:DMP3050LSS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 15.6W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS478DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS478DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS478DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001467042
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R600P7SAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R600P7SAKMA1-ND
别名:SP001499714
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK5P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK5P60WRVQCT-ND
别名:TK5P60WRVQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPN70R1K5CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R600P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA1-ND
别名:SP001292872
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Ta) 60W(Tc) I-Pak
型号:
TK5Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK5Q60WS1VQ-ND
别名:TK5Q60W,S1VQ(S
TK5Q60WS1VQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK5A60WS4VX-ND
别名:TK5A60W,S4VX(M
TK5A60WS4VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 25.7W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R950CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R950CEXKSA2-ND
别名:SP001217236
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Ta) 60W(Tc) I-Pak
型号:
TK5Q65W,S1Q
仓库库存编号:
TK5Q65WS1Q-ND
别名:TK5Q65W,S1Q(S
TK5Q65WS1Q
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A65W,S5X
仓库库存编号:
TK5A65WS5X-ND
别名:TK5A65W,S5X(M
TK5A65WS5X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP4N80K5
仓库库存编号:
497-14038-5-ND
别名:497-14038-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF4N80K5
仓库库存编号:
497-14034-5-ND
别名:497-14034-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001499700
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 43W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN6R0-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2500-1-ND
别名:1727-2500-1
568-12932-1
568-12932-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 6.9W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN70R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN70R600P7SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL4N80K5
仓库库存编号:
497-14060-1-ND
别名:497-14060-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD4N80K5
仓库库存编号:
497-14033-1-ND
别名:497-14033-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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