产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta),30A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4130
仓库库存编号:
785-1216-1-ND
别名:785-1216-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP6N120K3
仓库库存编号:
497-12123-ND
别名:497-12123
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW6N120K3
仓库库存编号:
497-12124-ND
别名:497-12124
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),81A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC054N04NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC054N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSC054N04NS GCT
BSC054N04NS GCT-ND
BSC054N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.5A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4666DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4666DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4666DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta),45A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名:BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.6A(Ta),44A(Tc) 69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GCT-ND
BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76423P3
仓库库存编号:
HUF76423P3FS-ND
别名:HUF76423P3-ND
HUF76423P3FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34PBF
仓库库存编号:
IRF9Z34PBF-ND
别名:*IRF9Z34PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34SPBF-ND
别名:IRF9Z34SPBFCT
IRF9Z34SPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4105PBFCT-ND
别名:*IRFR4105TRPBF
IRFR4105PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ34NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Ta),43A(Tc) 1.9W(Ta),115W(Tc) TO-220
型号:
AOT414
仓库库存编号:
785-1238-5-ND
别名:785-1238-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N62K3
仓库库存编号:
497-12585-5-ND
别名:497-12585-5
STF6N62K3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF19NM50N
仓库库存编号:
497-12572-5-ND
别名:497-12572-5
STF19NM50N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
STP7N95K3
仓库库存编号:
497-8792-5-ND
别名:497-8792-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 110W(Tc) TO-247-3
型号:
STW19NM50N
仓库库存编号:
497-10653-5-ND
别名:497-10653-5
STW19NM50N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 119W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR825TRPBF
仓库库存编号:
IRFR825TRPBFCT-ND
别名:IRFR825TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600V M2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 169W(Tc) D2PAK
型号:
STB26N60M2
仓库库存编号:
497-17546-1-ND
别名:497-17546-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5NK60Z
仓库库存编号:
497-3196-5-ND
别名:497-3196-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 170W(Tc) TO-247
型号:
STW28N60DM2
仓库库存编号:
497-16350-5-ND
别名:497-16350-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 33A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
BUK6226-75C,118
仓库库存编号:
1727-5510-1-ND
别名:1727-5510-1
568-6988-1
568-6988-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD6N62E-GE3
仓库库存编号:
SIHD6N62E-GE3-ND
别名:SIHD6N62E-GE3CT
SIHD6N62E-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 525V 6A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB7N52K3
仓库库存编号:
497-10023-1-ND
别名:497-10023-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 620V 5.5A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI6N62K3
仓库库存编号:
497-12265-ND
别名:497-12265
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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