产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK9230-100B,118
仓库库存编号:
1727-4708-1-ND
别名:1727-4708-1
568-5858-1
568-5858-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9629-100B,118
仓库库存编号:
1727-4716-1-ND
别名:1727-4716-1
568-5866-1
568-5866-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 98A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3830L,115
仓库库存编号:
568-2346-1-ND
别名:568-2346-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Ta) 68W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB7030L
仓库库存编号:
FDB7030LCT-ND
别名:FDB7030LCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
FDR4420A
仓库库存编号:
FDR4420ACT-ND
别名:FDR4420ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI9424DY
仓库库存编号:
SI9424DYCT-ND
别名:SI9424DYCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Ta) 68W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7030L
仓库库存编号:
FDP7030L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Ta) 68W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB7030L_L86Z
仓库库存编号:
FDB7030L_L86Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 46A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 46A(Tc) 157W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9529-100B,127
仓库库存编号:
568-5731-5-ND
别名:568-5731
568-5731-5
568-5731-ND
934057749127
BUK9529-100B
BUK9529-100B,127-ND
BUK9529-100B-ND
BUK9529100B127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6410DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6410DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6410DQ-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 12.2A(Tc) 2.78W(Ta),6.25W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8404DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8404DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8404DB-T1-E1CT
SI8404DBT1E1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 12.2A(Tc) 2.78W(Ta),6.25W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8424DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8424DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8424DB-T1-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RRS110N03TB1
仓库库存编号:
RRS110N03TB1CT-ND
别名:RRS110N03TB1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Ta) 68W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP6670AL
仓库库存编号:
FDP6670AL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6410DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6410DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6410DQ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Ta) 68W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB6670AL
仓库库存编号:
FDB6670AL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7446BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7446BDP-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7446BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7446BDP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.5A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS4502TR
仓库库存编号:
IRLMS4502CT-ND
别名:IRLMS4502
IRLMS4502-ND
IRLMS4502CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WTR
仓库库存编号:
IRF7811WTR-ND
别名:SP001572286
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WTRPBF
仓库库存编号:
IRF7811WPBFCT-ND
别名:*IRF7811WTRPBF
IRF7811WPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 75A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP83N03LT,127
仓库库存编号:
PHP83N03LT,127-ND
别名:934056570127
PHP83N03LT
PHP83N03LT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WGTRPBF
仓库库存编号:
IRF7811WGTRPBFCT-ND
别名:IRF7811WGTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V,
无铅
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