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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030P03NS3 G
  仓库库存编号：BSC030P03NS3 GCT-ND
  别名：BSC030P03NS3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 89A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF7780MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7780MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7780MTRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT10035LLLG
  仓库库存编号：APT10035LLLG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD3
  仓库库存编号：IXFN64N50PD3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD2
  仓库库存编号：IXFN64N50PD2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N100Q2
  仓库库存编号：IXFK30N100Q2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N100Q2
  仓库库存编号：IXFX30N100Q2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10035B2FLLG
  仓库库存编号：APT10035B2FLLG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 25A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10035JLL
  仓库库存编号：APT10035JLL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10035B2LLG
  仓库库存编号：APT10035B2LLG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V,
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