产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(18)
TO-261-4，TO-261AA(1)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(4)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(6)
TO-220-3(6)
8-PowerVDFN(1)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6(1)
8-PowerTDFN(1)
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）(1)
模具(2)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
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STMicroelectronics(7)
Fairchild/ON Semiconductor(12)
Nexperia USA Inc.(2)
Rohm Semiconductor(4)
EPC(2)
Infineon Technologies(13)
NXP USA Inc.(2)
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表面贴装(35)
通孔(7)
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-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(17)
-65°C ~ 175°C（TJ）(6)
-55°C ~ 175°C（TJ）(8)
150°C（TJ）(5)
-40°C ~ 150°C（TJ）(2)
重新选择
-(8)
STripFET?? II(5)
STripFET??(2)
TrenchMOS??(3)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(1)
PowerTrench?(4)
QFET?(4)
eGaN?(2)
OptiMOS??(1)
HEXFET?(6)
FETKY??(6)
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剪切带（CT） (19)
带卷（TR） (11)
管件 (11)
托盘 (1)
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在售(9)
已不再提供(3)
不可用于新设计(2)
过期(28)
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8-SO(15)
SOT-223(1)
D-Pak(2)
D2PAK(2)
TO-220-3(1)
TO-220AB(3)
TO-220(2)
TO-252，（D-Pak）(2)
8-SOP(3)
TSMT6（SC-95）(1)
8-MLP（3.3x3.3）(1)
LFPAK33(1)
模具(2)
D2PAK（TO-263AB）(4)
I-Pak(1)
PG-TDSON-8(1)
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MOSFET（金属氧化物）(40)
GaNFET（氮化镓）(2)
重新选择
20V(2)
±20V(12)
±16V(7)
±18V(2)
±10V(1)
±12V(12)
±15V(2)
+6V，-4V(2)
±13V(1)
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17nC @ 5V(42)
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55 毫欧 @ 2.5A，10V(1)
470 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
40 毫欧 @ 15A，10V(2)
2.6 毫欧 @ 30A，5V(2)
13 毫欧 @ 10A，10V(1)
18 毫欧 @ 20A，10V(2)
37 毫欧 @ 20A，10V(2)
18 毫欧 @ 9.3A，10V(1)
25 毫欧 @ 7A，4.5V(12)
19.5 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
19 毫欧 @ 4.5A，10V(1)
360 毫欧 @ 5A，10V(1)
360 毫欧 @ 3.8A，10V(3)
18 毫欧 @ 22.5A，10V(1)
80 毫欧 @ 15A，10V(4)
5 毫欧 @ 40A，10V(1)
7.9 毫欧 @ 40A，10V(1)
40 毫欧 @ 5A，5V(1)
10.7 毫欧 @ 11A，10V(3)
10.5 毫欧 @ 11.5A，10V(1)
重新选择
5V(3)
5V，10V(12)
4.5V，10V(10)
4.5V(12)
4V，10V(3)
4.5V，5V(1)
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N 沟道(41)
P 沟道(1)
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5A（Tc）(1)
35A（Tc）(1)
9A（Tc）(1)
10A（Tc）(1)
34A（Tc）(2)
45A（Tc）(1)
1.5A（Ta）(1)
9.3A（Ta）(1)
7.6A（Tc）(3)
11A（Ta）(3)
40A（Tc）(2)
30A（Tc）(2)
15A（Tc）(4)
80A（Tc）(1)
31A（Ta）(2)
4.9A（Ta）(1)
11.5A（Ta）(1)
8.3A（Ta）(12)
47A（Ta）(1)
14.6A（Ta），40A（Tc）(1)
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-(12)
660pF @ 25V(2)
1300pF @ 10V(3)
950pF @ 25V(1)
1400pF @ 25V(1)
2070pF @ 15V(1)
830pF @ 25V(4)
1800pF @ 300V(2)
2230pF @ 15V(1)
600pF @ 25V(4)
800pF @ 25V(3)
1250pF @ 25V(1)
1280pF @ 25V(2)
2230pF @ 25V(1)
1160pF @ 15V(3)
2005pF @ 15V(1)
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-(36)
肖特基二极管（隔离式）(6)
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2V @ 250μA(8)
2.5V @ 250μA(4)
1V @ 250μA(15)
2V @ 1mA(3)
2.5V @ 1mA(4)
3V @ 250μA(4)
2.5V @ 15mA(2)
2.45V @ 1mA(1)
2V @ 30μA(1)
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-(2)
2.5W（Tc）(4)
60W（Tc）(2)
70W（Tc）(3)
100W（Tc）(1)
600mW（Ta）(1)
2W（Ta）(3)
2.5W（Ta）(11)
50W（Tc）(5)
97W（Tc）(2)
1.8W（Ta），8.3W（Tc）(1)
2.1W（Ta）(1)
75W（Ta）(1)
2.5W（Ta），51W（Tc）(3)
2.8W（Ta），60W（Tc）(1)
3.13W（Ta），87W（Tc）(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RSQ015P10TR
仓库库存编号：
RSQ015P10CT-ND
别名：RSQ015P10TRCT
RSQ015P10TRCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP36NF06L
仓库库存编号：
497-7522-5-ND
别名：497-7522-5
STP36NF06L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 60V 31A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2031ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2031ENGRCT-ND
别名：917-EPC2031ENGRCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
STS5NF60L
仓库库存编号：
497-8044-1-ND
别名：497-8044-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 97W（Tc） D2PAK
型号：
PHB32N06LT,118
仓库库存编号：
1727-4764-1-ND
别名：1727-4764-1
568-5941-1
568-5941-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Ta） 75W（Ta） LFPAK33
型号：
BUK9M15-60EX
仓库库存编号：
1727-7316-1-ND
别名：1727-7316-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
STD35NF3LLT4
仓库库存编号：
497-2475-1-ND
别名：497-2475-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
STS9NF3LL
仓库库存编号：
497-8196-1-ND
别名：497-8196-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD10N20LTM
仓库库存编号：
FQD10N20LTMCT-ND
别名：FQD10N20LTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807TRPBF
仓库库存编号：
IRF7807PBFCT-ND
别名：*IRF7807TRPBF
IRF7807PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.6A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC079N03SG
仓库库存编号：
BSC079N03SGINCT-ND
别名：BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGXTINCT
BSC079N03SGXTINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP6030BL
仓库库存编号：
FDP6030BL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
型号：
STB36NF06LT4
仓库库存编号：
497-6551-1-ND
别名：497-6551-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 45A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP45NF3LL
仓库库存编号：
STP45NF3LL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH110N03TB1
仓库库存编号：
RSH110N03TB1CT-ND
别名：RSH110N03TB1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS110N03FU6TB
仓库库存编号：
RSS110N03FU6TB-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
型号：
STD95NH02LT4
仓库库存编号：
497-4105-1-ND
别名：497-4105-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50V 15A（Tc） 50W（Tc） TO-220
型号：
NDP4050L
仓库库存编号：
NDP4050L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 50W（Tc） TO-220
型号：
NDP4060L
仓库库存编号：
NDP4060L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 15A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB4050L
仓库库存编号：
NDB4050LCT-ND
别名：NDB4050LCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB4060L
仓库库存编号：
NDB4060LTR-ND
别名：NDB4060LTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS110N03TB
仓库库存编号：
RSS110N03TBCT-ND
别名：RSS110N03TBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6614A
仓库库存编号：
FDS6614A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB6030BL
仓库库存编号：
FDB6030BL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
型号：
FQU10N20LTU
仓库库存编号：
FQU10N20LTU-ND
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