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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF2955T1G
  仓库库存编号：NTF2955T1GOSCT-ND
  别名：NTF2955T1G-ND
  NTF2955T1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 52A（Tc） 37W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM085N03PQ33 RGGTR-ND
  别名：TSM085N03PQ33 RGGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 52A（Tc） 37W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM085N03PQ33 RGGCT-ND
  别名：TSM085N03PQ33 RGGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 52A（Tc） 37W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM085N03PQ33 RGGDKR-ND
  别名：TSM085N03PQ33 RGGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.7A（Tc） 48W（Ta） TO-252
  
  型号：DMG4N60SK3-13
  仓库库存编号：DMG4N60SK3-13DICT-ND
  别名：DMG4N60SK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP372NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP372NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP372NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NVF2955T1G
  仓库库存编号：NVF2955T1GOSCT-ND
  别名：NVF2955T1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 600V 3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG4N60SJ3
  仓库库存编号：DMG4N60SJ3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Ta） 113W（Ta） TO-220AB
  
  型号：DMG4N60SCT
  仓库库存编号：DMG4N60SCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL372SNH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL372SNH6327XTSA1-ND
  别名：SP000942920
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF2955PT1G
  仓库库存编号：NTF2955PT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：2SK4198LS
  仓库库存编号：2SK4198LS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：NVF2955PT1G
  仓库库存编号：NVF2955PT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4198FS
  仓库库存编号：2SK4198FS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6790
  仓库库存编号：JAN2N6790-ND
  别名：JAN2N6790-MIL
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6790U
  仓库库存编号：JAN2N6790U-ND
  别名：JAN2N6790U-MIL
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
  
  型号：JANTX2N6790
  仓库库存编号：JANTX2N6790-ND
  别名：JANTX2N6790-MIL
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTX2N6790U
  仓库库存编号：JANTX2N6790U-ND
  别名：JANTX2N6790U-MIL
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6790
  仓库库存编号：JANTXV2N6790-ND
  别名：JANTXV2N6790-MIL
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTXV2N6790U
  仓库库存编号：JANTXV2N6790U-ND
  别名：JANTXV2N6790U-MIL
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-205AF
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
  
  型号：2N6790
  仓库库存编号：2N6790-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6790U
  仓库库存编号：2N6790U-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.3nC @ 10V,
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