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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Ta） 5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5351
  仓库库存编号：FDS5351CT-ND
  别名：FDS5351CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4850EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4850EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4850EY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ488EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ488EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7850DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7850DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7850DP-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120NPBFCT-ND
  别名：*IRFR9120NTRPBF
  IRFR9120NPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4174DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4174DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4174DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD17P06TM
  仓库库存编号：FQD17P06TMCT-ND
  别名：FQD17P06TMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4850EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4850EY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4850EY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU17P06TU
  仓库库存编号：FQU17P06TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP2NK90Z
  仓库库存编号：497-4378-5-ND
  别名：497-4378-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14NM50N
  仓库库存编号：497-10644-1-ND
  别名：497-10644-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF14NM50N
  仓库库存编号：497-12569-5-ND
  别名：497-12569-5
  STF14NM50N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR4105ZTRPBF
  IRFR4105ZPBFCT
  IRFR4105ZPBFCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR9N20DTRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB07N60C3
  仓库库存编号：SPB07N60C3INCT-ND
  别名：SPB07N60C3INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA07N60C3
  仓库库存编号：SPA07N60C3IN-ND
  别名：SP000216303
  SPA07N60C3IN
  SPA07N60C3XK
  SPA07N60C3XKSA1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） TO-220
  
  型号：STP14NM50N
  仓库库存编号：497-10650-5-ND
  别名：497-10650-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4105ZPBF
  仓库库存编号：IRFU4105ZPBF-ND
  别名：*IRFU4105ZPBF
  SP001552434
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3457CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3457CX6 RFGTR-ND
  别名：TSM3457CX6 RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3457CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3457CX6 RFGCT-ND
  别名：TSM3457CX6 RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3457CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3457CX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM3457CX6 RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03MSGINCT
  BSC080N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 92A TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 92A（Tc） 960mW（Ta）, 81W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R704PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH3R704PLL1QCT-ND
  别名：TPH3R704PLL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU07N60C3
  仓库库存编号：SPU07N60C3IN-ND
  别名：SP000101635
  SPU07N60C3-ND
  SPU07N60C3BKMA1
  SPU07N60C3IN
  SPU07N60C3X
  SPU07N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI14NM50N
  仓库库存编号：497-13534-ND
  别名：497-13534
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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